聯(lián)系我們
公司網(wǎng)址:www.cigame.cn
聯(lián)系電話:0591-88064989
電子郵箱:[email protected]
公司傳真:0591-88064989
阻垢機理:阻垢劑的官能團對水垢成分,陽離子具有螯合力,封鎖陽離子,抑 制其與陰離子的反應而防止結垢,同時,阻垢劑對晶核和晶體的活性點有特殊吸附能力,抑 制其生長,故只需投加較低濃度就能顯示出效果。福建阻垢劑的這種化學計算當量作用,稱為低限效應。無機垢的形成過程可分為下面3個步驟:
●形成過飽和溶液
●生成晶核
●晶核成長,形成晶體。
這3個步驟中有一個遭到破壞,結垢過程即被減緩。阻垢劑的作用就是有效阻止這些步驟中的一個或幾個,以達到阻垢目的。阻垢劑干擾晶體生長的機理有如下幾種說法:
1.螯合增溶作用:螯合增溶作用是指阻垢劑與水中Ca2+、Mg2+、Sr2+、Ba2+等高價金屬離子絡合成穩(wěn)定的水溶性螯合物,使水中游離態(tài)鈣、鎂離子的濃度相應降低,這樣就好像使CaCO3等物質的溶解度增大了,本來會析出溶液的CaCO3等物質實際上沒有形成沉淀。所謂閾限效應阻垢是指只需向溶液中加入少量的阻垢劑,就能穩(wěn)定溶液中大量的結垢離子,它們之間不存在嚴格的化學計量關系,當阻垢劑的量增至過大時,其穩(wěn)定阻垢作用并無明顯改進。
2.晶格畸變作用:晶體正常形成的過程是微粒子(離子、原子或分子)根據(jù)特定的晶格方式進行有規(guī)則的排列,從而形成外形規(guī)則、熔點固定、致密堅固的物質結構。所謂晶格畸變是指在晶體生長的過程中,常常會由于晶體外界的一些原因,而使得晶體存在空位、錯位等缺陷或形成鑲嵌構造等畸變,其結果使同一晶體的各個晶面發(fā)育不等。晶體中這種局部組分的差異會導致晶體內部的應力,晶體本身與鑲嵌物質膨脹系數(shù)的不同也會導致應力。這些應力使晶體不穩(wěn)定。當環(huán)境發(fā)生某些變化時,大晶體便會碎裂成小晶體。
阻垢劑分子由于吸附在位于晶體活性生長點的晶格點陣上,使晶體不能按照晶格排列正常生長,使晶體發(fā)生畸變,使晶體的內部應力增大導致晶體破裂,從而防止微晶沉積成垢,達到阻垢目的。
相關文章
- 關于福州阻垢劑對熔煉工藝的影響2019年11月10日
- 福建反滲透阻垢劑為什么有酸式和堿式的2021年02月26日
- 反滲透設備中加阻垢劑的好處2021年02月26日
- 循環(huán)水系統(tǒng)中緩蝕阻垢劑HEDP的應用2021年08月12日
- 福建緩蝕阻垢劑應用到循環(huán)冷卻水系統(tǒng)中金屬腐蝕現(xiàn)象的原因2021年08月12日